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标题/型号 |
关键优势 |
| QV |
超低功耗篡改检测电路，带有无痕迹存储器
DS3655
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV |
NV SRAM控制器，带有实时时钟和篡改检测
DS3605
| 具有安全、防篡改检测、加密存储功能的单芯片方案，发生篡改事件时擦除加密数据 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM
DS2070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3045W
| DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM，集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM，带有时钟
DS3030W
| DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM，集成RTC |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045L
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030L
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3065W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3050W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟
DS3070W
| 业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块 |
| QV PDF |
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
DS2065W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045W
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| QV PDF |
3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030W
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| QV PDF |
单芯片、256k位非易失SRAM
DS2030AB, DS2030Y
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| QV PDF |
单芯片、1M非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y
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| QV PDF |
3.3V、8Mb非易失SRAM
DS1265W
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| QV PDF |
Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1747, DS1747P
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| QV PDF |
Y2K兼容、非易失时钟RAM
DS1746, DS1746P
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| QV PDF |
8M非易失SRAM
DS1265AB, DS1265Y
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| QV PDF |
128k x 16非易失SRAM
DS1258AB, DS1258Y
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| QV PDF |
4096k NV SRAM，带有隐含时钟
DS1251, DS1251P
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| QV PDF |
4096k非易失SRAM
DS1250AB, DS1250Y
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| QV PDF |
3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W
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| QV PDF |
1024k NV SRAM，带有隐含时钟
DS1248, DS1248P
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| QV PDF |
1024k非易失SRAM
DS1245AB, DS1245Y
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| QV PDF |
3.3V、1024k非易失SRAM
DS1245W
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| QV PDF |
256k非易失SRAM
DS1230AB, DS1230Y
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| QV PDF |
3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W
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| QV PDF |
智能插座16k/64k
DS1213B
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