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Maxim > 方案 > 工业:过程测量与控制

NV SRAM

数据资料
显示 标题/型号 关键优势
QV  PDF 3.3V、26通道、三态传输门电路
DS3690

业内集成度最高的传输门电路,用于高密度SRAM
QV  PDF 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM,带有时钟
DS3045W

DS3045W 3.3V单芯片1M非易失SRAM,集成RTC
QV  PDF 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟
DS3030W

DS3030W 3.3V单芯片256k非易失SRAM,集成RTC
QV  PDF 3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟
DS3070W

业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块
QV  PDF 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W

QV  PDF 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045W

QV  PDF 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030W

QV  PDF 单芯片、256k位非易失SRAM
DS2030AB, DS2030Y

QV  PDF 单芯片、1M非易失SRAM
DS2045AB, DS2045Y

QV  PDF 4096k非易失SRAM
DS1250AB, DS1250Y

QV  PDF 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W

QV  PDF 1024k非易失SRAM
DS1245AB, DS1245Y

QV  PDF 3.3V、1024k非易失SRAM
DS1245W

QV  PDF 256k非易失SRAM
DS1230AB, DS1230Y

QV  PDF 3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W

QV  PDF 64k非易失SRAM
DS1225AB, DS1225AD

QV  PDF 16k非易失SRAM
DS1220AB, DS1220AD




Key Specifications:  I/O Port Expanders
Part Number Features I/O Outputs VSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
min max
DS3690 
26 Bidirectional Channels
High-Speed On/Off Time
Low Propagation Delay
26 26 2.7 3.6
See All I/O Port Expanders (26)

Key Specifications:  Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real Time Clock DIP w/Int. Batt. Pwr. Cap Pckg. Battery Monitor With GPIO VSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
min max
DS1220AB  NV SRAM 2K x 8 Parallel No Yes No No No 4.75 5.25
DS1220AD  2K x 8 No 4.5 5.5
DS1225AB  8K x 8 No 4.75 5.25
DS1225AD  8K x 8 No 4.5 5.5
DS1230AB  32K x 8 Yes 4.75 5.25
DS1230Y  32K x 8 Yes 4.5 5.5
DS1245AB  128K x 8 Yes 4.75 5.25
DS1245Y  128K x 8 Yes 4.5 5.5
DS1250AB  512K x 8 Yes 4.75 5.25
DS1250Y  512K x 8 Yes 4.5 5.5
DS1230W  32K x 8 Yes 3 3.6
DS1245W  128K x 8 Yes 3 3.6
DS1250W  512K x 8 Yes 3 3.6
See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)



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