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完整的数据资料 (PDF, 180kB) 英文 下载 DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表面贴模块中。当VCC加在模块上时，它即对ML电池充电，SRAM也由外部电源来供电，同时允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器对SRAM的内容写保护，同时改由电池对SRAM供电。DS2030L还含有一个电源监视输出，/RST，可用作微处理器的CPU监控器。

关键特性		应用/使用
单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装 内置锂锰电池和充电器 VCC超出容限后，无条件地对SRAM加以写保护 VCC电源失效时，自动切换至电池供电 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效 复位输出可用作微处理器的CPU监控器 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

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