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DS2065W
3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM
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状态 |
| DS2065W |
状况:生产中,但该系列产品中的某些型号已进入最后一次购买期限。请查看订购信息。
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概述
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完整的数据资料
(PDF, 224kB)
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英文 下载
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DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上,就对ML电池充电,利用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时,控制器对SRAM的内容写保护,并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST,可以用作微处理器的CPU监控。
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本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。
| 关键特性 |
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应用/使用 |
- 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
- 内置ML电池与充电器
- VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
- 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
- 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
- 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
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图表
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 典型工作电路
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2006-10-13
本页最后一次更新: 2008-08-29
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