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完整的数据资料 (PDF, 224kB) 英文 下载 DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2045还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。

关键特性		应用/使用
单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装 内部ML电池和充电器 VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护 VCC电源失效后，自动切换到电池供电 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10% 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 工业级温度范围(-40°C至+85°C) 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证		数据采集系统 烟雾报警器 游戏机 工业控制器 PLC POS终端 RAID系统和服务器 路由器/交换机

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