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DS1225Y	该产品不推荐用于新的设计，推荐替代产品请查看订购信息。	DS1225AD	1) DS1220Y和DS1225Y的写保护电压(Vtp)由其内部分压电路决定(~1.26 x VBat)。由于Vtp随着模块内部电池电压的跌落会相应减小，这将改变模块对系统电源丢失的响应。AB/AD版产品具有精密的带隙基准电压，消除了电池电压变化的影响。 2) 为了将新模块中的有效数据保持10年，备用电池产品的数据存储和处理非常关键。DS1220Y和DS1225Y没有电池保鲜电路，这意味着所提供的10年担保是从产品的制造日期开始的，而AB/AD版产品则是从用户首次使用的日期开始。

概述

完整的数据资料 (PDF, 176kB) 英文 下载 DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM 没有写次数限制 低功耗CMOS操作 JEDEC标准的28引脚DIP封装 150ns的读写时间 ±10%工作范围 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

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