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完整的数据资料 (PDF, 196kB) 英文 下载 DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 没有写次数限制 低功耗CMOS操作 70ns的读写存取时间 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 ±10% VCC工作范围(DS1265Y) 可选择±5% VCC工作范围(DS1265AB) 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

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