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该产品的所有型号即将停产，已进入最后一次购买期限，在此之后将不受理该产品订单。

概述

完整的数据资料 (PDF, 208kB) 英文 下载 DS1258 128k x 16非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1258器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

关键特性

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年 掉电期间数据被自动保护 独立的向上/向下字节片选输入 没有写次数限制 低功耗CMOS操作 70ns的读写存取时间 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 ±10%电源工作范围(DS1258Y) 可选择±5%电源工作范围(DS1258AB) 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证

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