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DS1230W
3.3V、256k非易失SRAM
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概述
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完整的数据资料
(PDF, 272kB)
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英文  下载
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DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
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本产品包含金属锂电池。 参见含电池设备的运输要求使用标准。
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关键特性
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- 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
- 掉电期间数据被自动保护
- 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
- 没有写次数限制
- 低功耗CMOS操作
- 100ns的读写时间
- 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
- 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
- JEDEC标准的28引脚DIP封装
- PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
- 通过美国保险商实验室协会(UL®)认证
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1230W |
NV SRAM |
32K x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
Yes |
No |
No |
3 |
3.6 |
$7.50 @1k |
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查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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图表
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引脚分配
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2007-12-20
本页最后一次更新: 2009-10-28
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