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| 参考设计4375
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利用MAX5060设计带无损电流检测的大电流电源 |
| Surya Prakash |
摘要:本参考设计提供了一个利用MAX5060电流模式、降压型电源控制器实现大电流应用中的无损电流检测设计方案。设计采用电感的等效串联电阻(DCR)进行电流检测,可以省去检流电阻的功耗。
概述
目前,大多数数据处理单元需要从电源消耗更大的电流,以满足更高的处理速度。这些应用中,无损电流检测以及地电位偏差对于精确控制输出电压、输出电流非常关键。
MAX5060 PWM降压电源控制器利用平均电流模式控制技术跟踪负载电流,器件采用差分检测技术精确控制输出电压。本参考设计中利用电感的等效串联电阻(DCR)检测电流,省去了检流电阻的功耗。
本参考设计提供了一个大电流(30A)电源设计方案,具有较高的系统效率和良好的负载调节,以下给出了完整的电路原理图、材料清单(BOM)、效率测量及测试结果。
规格与设计步骤
- 参考设计能够达到以下技术指标。
- 输入电压:12V ±10%
- 输出电压:1.5V
- 输出电流:30A
- 输出纹波:±15mV
- 输入纹波:±250mV
- 效率:> 88%,负载为满负荷的一半(15A)
- 开关频率:275kHz
- 电路板外形尺寸:5cm × 3.3cm
参考设计原理图如图1所示,元件清单如表1所示,设计中MAX5060采用降压配置。
 详细图片(PDF, 100kB)
图1. MAX5060降压转换器原理图(FSW = 275kHz)
表1. 元件清单
| Designator |
Description |
Comment |
Footprint |
Manufacturer |
Quantity |
Value |
| C1, C20 |
Capacitor |
GRM1555C1H101JZ01D |
402 |
Murata |
2 |
100pF |
| C2 |
Capacitor |
GRM155R71E223KA61D |
402 |
Murata |
1 |
22nF |
| C3 |
Capacitor |
GRM155R71H682KA88D |
402 |
Murata |
1 |
6.8nF |
| C4 |
Capacitor |
GRM1555C1H470JZ01D |
402 |
Murata |
1 |
47pF |
| C5 |
Capacitor |
GRM155R61A224KE19D |
402 |
Murata |
1 |
0.22µF |
| C6, C12 |
Capacitor |
GRM155R61A474KE15D |
402 |
Murata |
2 |
0.47µF |
| C7, C8, C9, C18 |
Capacitor |
GRM188R71A105KA61D |
402 |
Murata |
4 |
1µF |
| C10, C11 |
Capacitor |
GRM32ER71C226KE18L |
1210 |
Murata |
2 |
22µF/16V |
| C13, C14 |
Capacitor |
GRM32ER60J107ME20L |
1210 |
Murata |
1 |
100µF/6.3V |
| C15 |
Capacitor |
GRM31CR60J476KE19L |
1206 |
Murata |
1 |
47µF |
| C16 |
Capacitor |
GRM155R71H103KA88D |
402 |
Murata |
1 |
10nF |
| C17 |
SP Capacitor |
EEFSX0D471E4 |
7.3mm x 4.3mm SP CAP |
Panasonic |
1 |
470µF/2V |
| C19 |
Capacitor |
GRM155R71H102KA01D |
402 |
Murata |
1 |
1nF |
| D1 |
Schottky Diode |
CMHSH5-2L |
SOD-123 |
Central Semiconductor |
1 |
20V, 500mA Schottky |
| D2 |
Schottky Diode |
UPS835LE3 |
POWERMITE3 |
Microsemi |
1 |
35V, 8A Schottky Rectifier |
| L |
Inductor |
T5060 (0.6µH) |
T5060_Falco_Inductor |
Falco |
1 |
0.6µH |
| Q1 |
N-Channel MOSFET |
Si7136DP |
PowerPAK SO8 |
Vishay |
1 |
20V, 30A nMOSFET |
| Q2, Q3 |
N-Channel MOSFET |
Si7866DP |
PowerPAK SO8 |
Vishay |
2 |
20V, 40A nMOSFET |
| Q4 |
NPN Transistor |
CMUT2222A |
SOT-523 |
Central Semiconductor |
1 |
75V, 600mA NPN |
| R1 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
1.7kΩ |
| R3, R16 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
12.7kΩ |
| R4, R21 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
4.99kΩ |
| R5, R20 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
100kΩ |
| R6 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
226kΩ |
| R7 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
Open |
| R8, R19 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
10kΩ |
| R9 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
0 |
| R10 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
5.6kΩ |
| R11 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
1Ω |
| R12 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
2.2Ω |
| R13, R22 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
715Ω |
| R14 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
1.82Ω |
| R15, R18 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
2 |
22Ω |
| R17 |
Resistor |
Res1 |
402 |
Multisource |
1 |
8.45kΩ |
| U1 |
PWM Controller |
MAX5060 |
28-TQFN-EP |
Maxim |
1 |
— |
效率曲线
图2给出了参考设计的效率与负载电流的关系曲线,图3给出了负载调节参数曲线。

图2. 负载电流与转换器效率的关系曲线,VIN = 12V。

图3. 负载电流与转换器输出电压的关系曲线,VIN = 12V。
实验结果
图4至图7给出了不同输入条件下,转换器输出电压与负载电流的对应关系曲线。

图4. 转换器波形,VIN = 12V、IOUT = 30A。
VIN = 12V、IOUT = 2 × 15A
Ch1:输出电流(2倍)
Ch2:输出电压
Ch3:输入电压
Ch4:高边MOSFET栅极驱动

图5. 输入和输出纹波,VIN = 12V、IOUT = 30A。
VIN = 12V、IOUT = 2 × 15A
Ch2:输出电压纹波
Ch3:输入电压纹波

图6. 电源瞬态响应
VIN = 0至12V,IOUT = 2 × 15A
Ch2:输出电压
Ch3:输入电压

图7. 负载瞬态响应
VIN = 12V、IOUT = 1A至7A
Ch1:输出电流瞬变(1A至7A)
Ch2:输出电压纹波
针对该应用开发的电路板如图8所示。
 详细图片(PDF, 16kB)
图8. MAX5060降压参考电路板,四层板。
| 相关型号 | |
APP 4375: Jul 08, 2009
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